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高经理 先生
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发布时间：2020-08-11 01:33:00
近日科技部高新司在***召开“十二五”期间863计划***支持的“第三代半导体器件制备及评价技术”项目验收会。通过项目的实施，我国在第三代半导体关键的碳化硅和氮化材料、功率器件、封装以及可见光通信等领域取得突破。
中国开展SiC、GaN材料和器件方面的研究工作比较晚，与国外相比水平较低，阻碍国内第三代半导体研究进展的重要因素是原始创新问题。随着***对第三代半导体材料的重视，近年来，我国半导体材料市场发展迅速。其中以碳化硅与氮化为主的材料备受关注。黑碳化硅是以石英砂，石油焦和优质硅石为主要原料，通过电阻炉高温冶炼而成。我们认为，该项目取得的进展，显示出我国在半导体前沿材料的研究方面取得了突破进展，有助于支撑我国在节能减排、现代信息工程、现代建设上的重大需求。
以碳质材料为炉芯体的电阻炉，通电加热石英SIO2和碳的混合物生成碳化硅。用含铁物料、焦粉、熔剂等制成的冷压球团具有自复原性，碳化硅球批发用自复原球团替代20%-30%的生铁不会对化铁炉的操作发生晦气影响，大大下降了生产成本，改进了铸件质量，从而进步产品竞争力。纯碳化硅为无色，而工业生产之棕至黑色系由于含铁之不纯物，碳化硅的氧化速率，在氧气中比在空气中快1。安阳市晟东冶金材料有限公司始终坚持科技是兴企之举，质量是立企之本，品种是强企之路的方针，不断为您推出产品及服务。
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